Creata nel 1973 come costruttore di transistor al germanio, da 20 anni si è specializzata nella produzione di sensori per infrarosso.
La GPD opera con un sistema di qualità basato sulle MIL-45208 e MIL-S-19500; tutti i fotodiodi sono controllati secondo le MIL-STD-883, MIL-D-24620.

La produzione attuale è basata su:

  Fotodiodi p-i-n al germanio (link a 1.0 Ge Photodiodes): diametro da 100µm a 25mm, risposta spettrale da 800nm a 1800nm, raffreddamento opzionale a singolo o doppio stadio, quattro quadranti

  Fotodiodi avalanche al germanio (link a 2.0 Ge Avalanche): diametro 40µm, alta sensibilità, opzione fiber-pigtail e raffreddamento

  Fotodiodi InGaAs ad alta velocità (link a 3.0 high speed): diametro da 60µm a 300µm, alta velocità (2.5 GHz)

  Fotodiodi InGaAs a larga area (link a 4.0 large area): diametro da 0.5 a 5 mm, alta sensibilità, lenti o filtri opzionali

  Fotodiodi InGaAs a risposta estesa (link a 5.0 extended): diametro da 0.3 a 3 mm, cutoff @ 1.9µm, 2.05µm, 2.2µm 2.6µm

  Fotodiodi InGaAs avalanche APD (link a 6.0 IAV): diametro da 80µm a 350µm, risposta spettrale da 900nm a 1650nm, bassa dark current e capacità

  Fotodiodi InGaAs con raffreddamento termoelettrico (link a 7.0..): diametro da 0.3 a 5 mm, raffreddamento a singolo o doppio stadio, alta sensibilità, cutoff @ 1.7µm, 1.9µm, 2.05µm, 2.2µm and 2.6µm

  Fotodiodi InGaAs a quattro quadranti (link a 8.0): diametro da 0.5mm, 1.0mm, 1.5mm, 2.0mm e 3.0mm, bassa dark current

  Fotodiodi "sandwich" 2 colori (link a 9.0): silicio su InGaAs (1.7µm, 2.05µm, 2.2µm or 2.6µm) o InGaAs (1.7µm) su InGaAs (1.7µm, 2.05µm, 2.2µm and 2.6µm), area da 1 a 3 mm dia.

  Fotodiodi InGaAs VIS/NIR (link a 11.0): diametro da 300 µm a 5 mm, risposta spettrale da 0.5 µm a 1.7 µm

  Array lineari (link a 12.0): 4, 8, 12 o 16 elementi, diametro 80 µm, passo 250 µm

  Fotodiodi InGaAs Low Polarization Dependent Loss (PDL) (link a 13.0): diametro da 0.3 a 5 mm

  Ulteriori informazioni sul sito web di GPD Optoelectronics Corp.