Creata nel 1973 come costruttore di transistor al germanio, da 20 anni si è specializzata nella produzione di sensori per infrarosso.
La GPD opera con un sistema di qualità basato sulle MIL-45208 e MIL-S-19500; tutti i fotodiodi sono controllati secondo le MIL-STD-883, MIL-D-24620.
La produzione attuale è basata su:
Array lineari (link a 12.0): 4, 8, 12 o 16 elementi, diametro 80 µm, passo 250 µm
Fotodiodi InGaAs Low Polarization Dependent Loss (PDL) (link a 13.0): diametro da 0.3 a 5 mm
Ulteriori informazioni sul sito web di GPD Optoelectronics Corp.